摻鎵坩堝,顧名思義,即針對摻鎵工藝單晶硅生長用石英坩堝,其在多次拉晶過程中,可提高引晶成功率、降低收尾位錯(cuò)以及降低硅棒氧含量,相對于普通工藝的石英坩堝而言,有更加優(yōu)秀的表現(xiàn),錦州佑鑫同時(shí)也彌補(bǔ)了摻鎵工藝單晶硅拉制過程中需要在石英坩堝內(nèi)摻入鋇粉帶來的缺點(diǎn)。
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圖1普通工藝
底部無析晶層
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圖2特殊工藝
底部形成均勻析晶層
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隨著光伏發(fā)電技術(shù)的不斷提升,追求高轉(zhuǎn)換效率一直是整個(gè)行業(yè)持續(xù)關(guān)注的話題。錦州佑鑫在P型單晶太陽能硅片市場上,摻鎵技術(shù)逐漸替代摻硼技術(shù)必將成為市場主流!